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可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此功率，因元件開(kāi)關(guān)損可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。功率模塊艾賽斯可控硅晶閘管1200/1400/1600

MOS管導(dǎo)通特性，導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適宜用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只需柵極電壓抵達(dá)4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適宜用于源極接VCC時(shí)的情況。美高森美場(chǎng)效應(yīng)管APT29F80J功率模塊MOS管

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IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車(chē)、UPS、開(kāi)關(guān)電源等。問(wèn)世有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、雙極型達(dá)林頓管等，單個(gè)元件電壓可達(dá)4.0KV（pt結(jié)構(gòu)）一6.5KV（npt結(jié)構(gòu)），電流可達(dá)1.5KA,是較為理想的功率模塊。美高森美IGBT模塊APT150GN60JDQ4全新現(xiàn)貨

IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車(chē)、UPS、開(kāi)關(guān)電源等。問(wèn)世有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、雙極型達(dá)林頓管等，單個(gè)元件電壓可達(dá)4.0KV（pt結(jié)構(gòu)）一6.5KV（npt結(jié)構(gòu)），電流可達(dá)1.5KA,是較為理想的功率模塊。美高森美IGBT模塊/APT200GN60J/功率模塊